5.MOSFET選擇
MOSFET承受的最高電壓為VINMAX，考慮到拋負(fù)載保護(hù)，選取耐壓40V以上的MOS。MOSFET的損耗，可由以下公式估算，
導(dǎo)通損耗：
開(kāi)關(guān)損耗
tON、tOFF為MOSFET開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間。
ISINK：為驅(qū)動(dòng)下拉電流，NCV8852的驅(qū)動(dòng)下拉電流典型值為200mA.
ISRC：為驅(qū)動(dòng)的輸出電流，NCV8852的驅(qū)動(dòng)輸出電流典型值為200mA
選取安森美半導(dǎo)體的NVTFS5116PL，耐壓60V，導(dǎo)通電阻Rdson=52mΩ@VGS=10V，QGD=8nC，封裝u8FL，參考熱阻(芯片結(jié)溫到環(huán)境溫度)47℃/W。
由QGD可先計(jì)算出MOSFET的開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間為：
計(jì)算MOSFET功耗：
在最高輸入電壓下
MOSFET的結(jié)溫為
TA_MAX為最大環(huán)境溫度，車載USB電源一般要求為85℃。150℃為最大結(jié)溫。
在最低輸入電壓下
MOSFET的結(jié)溫為
