5.MOSFET選擇
MOSFET承受的最高電壓為VINMAX，考慮到拋負載保護，選取耐壓40V以上的MOS。MOSFET的損耗，可由以下公式估算，
導通損耗：
開關損耗
tON、tOFF為MOSFET開通和關斷時間。
ISINK：為驅動下拉電流，NCV8852的驅動下拉電流典型值為200mA.
ISRC：為驅動的輸出電流，NCV8852的驅動輸出電流典型值為200mA
選取安森美半導體的NVTFS5116PL，耐壓60V，導通電阻Rdson=52mΩ@VGS=10V，QGD=8nC，封裝u8FL，參考熱阻(芯片結溫到環(huán)境溫度)47℃/W。
由QGD可先計算出MOSFET的開通關斷時間為：
計算MOSFET功耗：
在最高輸入電壓下
MOSFET的結溫為
TA_MAX為最大環(huán)境溫度，車載USB電源一般要求為85℃。150℃為最大結溫。
在最低輸入電壓下
MOSFET的結溫為
