歐盟發(fā)布石墨烯科技路線圖 射頻領(lǐng)域新寵

2014-03-06 23:37 來源:電子信息網(wǎng) 作者:鈴鐺

歐盟未來新興技術(shù)(FET)石墨烯旗艦計(jì)劃發(fā)布了首份招標(biāo)公告和科技路線圖,介紹了擬資助的研究課題和支持課題,以及根據(jù)領(lǐng)域劃分的工作任務(wù),每項(xiàng)課題都涉及多項(xiàng)工作任務(wù)。

根據(jù)路線圖,石墨烯旗艦計(jì)劃將分兩階段進(jìn)行:初始熱身階段(2013年10月1日至2016年3月31日,共資助5400萬歐元)和穩(wěn)定階段(2016年4月開始,預(yù)計(jì)每年資助5000萬歐元)。

面向射頻應(yīng)用的無源組件

該課題旨在開發(fā)與測試天線、 電子互連、熱擴(kuò)散層、過濾器和微機(jī)電系統(tǒng)等無源組件在高頻電子領(lǐng)域的不同應(yīng)用。該課題還關(guān)注包括可用開關(guān)控制的屏障、自混合天線與光學(xué)透明器件在內(nèi)的新型 微波天線與器件。具體目標(biāo)包括:設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)基于GRM的無源射頻組件;使用最先進(jìn)的表征技術(shù)和評估方法驗(yàn)證組件性能,以滿足不同應(yīng)用的具體需求;申請者應(yīng) 在提案中清楚描述和探討其預(yù)想的無源組件優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)之處。

GRM與半導(dǎo)體器件的集成

GRM 與傳統(tǒng)的基于硅、GaAs、GaNg、InP的半導(dǎo)體器件的集成,可以提升混合系統(tǒng)的性能。該課題旨在針對GRM膜的轉(zhuǎn)移與鍵合開發(fā)一種產(chǎn)業(yè)級的可擴(kuò)展方 法,從而實(shí)現(xiàn)GRM在半導(dǎo)體平臺(tái)上的后端集成。相關(guān)提案須關(guān)注GRM的轉(zhuǎn)移與鍵合,以及GRM與半導(dǎo)體器件間界面的設(shè)計(jì)。結(jié)合了GRM和半導(dǎo)體材料兩者功 能的混合系統(tǒng)應(yīng)作為工作集成器件發(fā)揮其潛能。

體目標(biāo)包括:尋求一條可擴(kuò)展的途徑,以便GRM膜集成到半導(dǎo)體系統(tǒng)時(shí)能實(shí)現(xiàn)晶片規(guī)模集成;針對 電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)性質(zhì)和其他接觸性質(zhì),對GRM與半導(dǎo)體器件的相互作用進(jìn)行設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)不同目標(biāo)的應(yīng)用;使用最先進(jìn)的計(jì)量技術(shù)評估被集成的GRM層的質(zhì) 量;實(shí)現(xiàn)混合系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用。

高頻電子學(xué)

該項(xiàng)任務(wù)旨在針對基于石墨烯的高頻電子技術(shù)的開 發(fā)制定長期愿景。具體目標(biāo)包括:優(yōu)化關(guān)鍵的加工技術(shù),涉及接觸電阻、柵極堆棧、鈍化、帶隙工程和不同二維材料的整合;確定制造石墨烯基高頻集成電路面臨的 關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,并開發(fā)相應(yīng)的解決方案;針對石墨烯基高頻器件的制造提出新理念;針對材料、流程和器件定義相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化途徑;將石墨烯視為下一代高性能電子 材料,制定清晰、詳細(xì)的開發(fā)路線圖。

柔性電子學(xué)

該項(xiàng)任務(wù)旨在研究石墨烯在柔性電子器件和系統(tǒng)開發(fā)所需的關(guān)鍵技術(shù)方面的用途,涉及材料與制造過程、靈活的能源解決方案、柔性射頻電子學(xué)和無線連接方案、柔性傳感器、柔性無源電子技術(shù)、面向柔性電子學(xué)的系統(tǒng)級平臺(tái)等領(lǐng)域。

1 2 > 
射頻 石墨烯

相關(guān)閱讀

暫無數(shù)據(jù)

一周熱門