對(duì)癥下藥 Saber仿真EMI傳導(dǎo)成功實(shí)例詳解

2014-11-03 10:42 來源:電子信息網(wǎng) 作者:兔子

其實(shí)很多時(shí)候,對(duì)于電路的仿真或測(cè)試出現(xiàn)的問題,我們更希望能夠?qū)嶋H問題實(shí)際分析,然后對(duì)癥下藥來解決電路問題。往往很多工程師在做EMI測(cè)試的時(shí)候苦于沒有相關(guān)的測(cè)試設(shè)備,無法完成對(duì)EMI的測(cè)試,也不知道如何驗(yàn)證分析的正確與否。本文中針對(duì)這個(gè)問題提出了一種便捷的解決方案,那就是通過仿真分析提出對(duì)策,為實(shí)際的整改提供幫助。下面我們將通過2個(gè)仿真案例來說明如何對(duì)EMI進(jìn)行仿真。

1、EMI傳導(dǎo)中共模轉(zhuǎn)化為差模的原因以及對(duì)策

EMI仿真就是電路仿真,主要是模型的建立。(變壓器在此例的仿真中,就等效為一個(gè)電容)首先來看一下共模路徑:

1

共模路徑

建立如下模型:

2

建立模型

共模電壓和差模電壓:

3

共模&差模電壓

從以上結(jié)果可以看出,Vdm pp=9uV。如果現(xiàn)在加入100uH差模電感,能否降低差模電壓呢?我們來看一下實(shí)驗(yàn)效果:

4

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

對(duì)應(yīng)的差模電壓:

5

差模電壓

差模電壓為Vdm pp=166uV,與原來的電壓相比變差了。原因是加入差模電感后,導(dǎo)致了L和N的阻抗不一致,共模轉(zhuǎn)化成了差模。這也是在實(shí)際會(huì)碰到的情況,加入差模濾波器后,差模卻變差了。對(duì)于這種情況我們可以考慮將差模電感在L、N上對(duì)稱放置來抑制這種轉(zhuǎn)化。

6

差模電感對(duì)調(diào)

差模電壓:

7

仿真結(jié)果

1 2 > 
EMI saber

相關(guān)閱讀

暫無數(shù)據(jù)

一周熱門

  • 華為在Network X NGON 2024論壇上斬獲光傳送領(lǐng)域最佳創(chuàng)新應(yīng)用大獎(jiǎng)
    2024年10月10日 在法國(guó)巴黎舉行的Network X 2024(又稱Next-Generation Optica
  • OCTC發(fā)布
    日前,在"2024中國(guó)算力大會(huì)"上,中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)開放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(huì)(OCTC)正式發(fā)布《算力工廠建設(shè)指
  • AMI與三星合作,增強(qiáng)個(gè)人電腦的固件安全性
    全球計(jì)算動(dòng)態(tài)固件領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者AMI?與消費(fèi)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者三星電子(Samsung Electronics)合作,為三星的