芯片已邁過3D坎 TSV制程日漸成熟

2014-11-24 10:42 來源:電子信息網(wǎng) 作者:娣霧兒

大家聽說過類比積體電路設計嗎,已逐漸進入三維晶片(3D IC)時代。在成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司又開始建設類比3D IC生產(chǎn)線,透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù),在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件,以提升電源晶片、感測器、無線射頻(RF)等各類比方案效能。

奧地利微電子認為3D IC技術(shù)將擴大類比晶片市場商機,隨著現(xiàn)今電子產(chǎn)品功能愈來愈多,設備制造商為確保產(chǎn)品功能可靠度,其內(nèi)部的類比晶片數(shù)量正快速增加,導致印刷電路板(PCB)空間愈來愈不夠用,且系統(tǒng)設計難度也與日俱增,因此類比晶片制程技術(shù)勢必須有全新的突破,才能克服此一技術(shù)挑戰(zhàn)。

有別于數(shù)位邏輯晶片通常有標準型封裝技術(shù),類比晶片的封裝技術(shù)種類既多且復雜,每一個元件甚至擁有屬于本身較有利的制程技術(shù),因此進行異質(zhì)整合的難度也較高,造成類比晶片在3D IC領域的發(fā)展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠與晶片業(yè)者正大舉投入TSV技術(shù)研發(fā),讓此一技術(shù)愈來愈成熟,將引領類比晶片邁向新的技術(shù)里程碑。

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3D TSV

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