大家聽說(shuō)過類比積體電路設(shè)計(jì)嗎，已逐漸進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在成功量產(chǎn)3D IC方案后，類比晶片公司又開始建設(shè)類比3D IC生產(chǎn)線，透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù)，在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件，以提升電源晶片、感測(cè)器、無(wú)線射頻(RF)等各類比方案效能。
奧地利微電子認(rèn)為3D IC技術(shù)將擴(kuò)大類比晶片市場(chǎng)商機(jī)，隨著現(xiàn)今電子產(chǎn)品功能愈來(lái)愈多，設(shè)備制造商為確保產(chǎn)品功能可靠度，其內(nèi)部的類比晶片數(shù)量正快速增加，導(dǎo)致印刷電路板(PCB)空間愈來(lái)愈不夠用，且系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度也與日俱增，因此類比晶片制程技術(shù)勢(shì)必須有全新的突破，才能克服此一技術(shù)挑戰(zhàn)。
有別于數(shù)位邏輯晶片通常有標(biāo)準(zhǔn)型封裝技術(shù)，類比晶片的封裝技術(shù)種類既多且復(fù)雜，每一個(gè)元件甚至擁有屬于本身較有利的制程技術(shù)，因此進(jìn)行異質(zhì)整合的難度也較高，造成類比晶片在3D IC領(lǐng)域的發(fā)展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠與晶片業(yè)者正大舉投入TSV技術(shù)研發(fā)，讓此一技術(shù)愈來(lái)愈成熟，將引領(lǐng)類比晶片邁向新的技術(shù)里程碑。
