根據(jù)外媒爆料，近期某半導(dǎo)體行業(yè)分析師對(duì)英特爾目前正在研發(fā)的技術(shù)進(jìn)行了分析，并根據(jù)分析結(jié)果提出了一則預(yù)言。如果這位分析人士的預(yù)言成真，那么英特爾將在即將到來(lái)的下一個(gè)制程時(shí)代中大幅超前其他進(jìn)爭(zhēng)對(duì)手。
這位分析師在他自己的網(wǎng)站發(fā)表一篇分析文章（參考連結(jié)），指出英特爾將會(huì)在10納米節(jié)點(diǎn)采用量子阱FET。這種新的電晶體架構(gòu)將會(huì)采用兩種新材料──以砷化銦鎵制作n型電晶體，以應(yīng)變鍺制作p型電晶體。
若預(yù)測(cè)正確，英特爾最快在2016年可開始生產(chǎn)10納米制程電晶體，且功耗能比其他制程技術(shù)低200毫伏（millivolts）。分析師預(yù)期，其他半導(dǎo)體制造業(yè)者在7納米節(jié)點(diǎn)之前難以追上英特爾的技術(shù)，差距約是兩年。英特爾可能還要花一年多的時(shí)間才會(huì)公布其10納米制程計(jì)畫。
英特爾曾在2009年的IEDM會(huì)議論文透露其正在開發(fā)的InGaAs制程技術(shù)。分析文章是根據(jù)對(duì)英特爾在年度IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）發(fā)表的數(shù)十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與晶片制造相關(guān)的專利。分析師在接受EETimes美國(guó)版訪問(wèn)時(shí)表示：“我所看到的一切都朝這個(gè)方向發(fā)展，問(wèn)題應(yīng)該不在于英特爾會(huì)不會(huì)制作量子阱FET，而是他們會(huì)在10納米或7納米節(jié)點(diǎn)開始進(jìn)行?！?/span>
在電晶體通道采用復(fù)合半導(dǎo)體材料并非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發(fā)表的這么多，英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少，但該技術(shù)較廣為人知。此外他預(yù)期英特爾會(huì)采用純鍺，不過(guò)也可能會(huì)透過(guò)先采用矽鍺來(lái)達(dá)到該目標(biāo)。
值得注意的是，該分析師將分析報(bào)告對(duì)外公布之前，曾將其提供給英特爾查看。但英特爾卻并未因此份報(bào)告而對(duì)外發(fā)表任何聲明。
