東京—東芝公司（TOKYO：6502）今日宣布研發(fā)全球首款*1運用硅通孔（TSV）技術(shù)的16顆粒（最大）堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型。
NAND閃存
堆疊式NAND閃存的先前技術(shù)是在封裝內(nèi)運用引線接合法連接在一起。而TSV技術(shù)利用垂直電極和貫穿硅芯片模的通孔實現(xiàn)連接。該技術(shù)支持數(shù)據(jù)高速輸入和輸出，并降低功耗。
東芝TSV技術(shù)實現(xiàn)超過1Gbps的I/O數(shù)據(jù)速率，高于具有低電源電壓的任何其它NAND閃存。核心電路1.8V，I/O電路1.2V，寫入操作、讀取操作和I/O數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓慕档图s50%*2。
這款全新的NAND閃存為包括高端企業(yè)級SSD在內(nèi)的閃存應用提供理想的低延遲、高帶寬和高IOPS/Watt解決方案。
這項應用技術(shù)部分由日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織（NEDO）研發(fā)。
該原型的一般規(guī)格
注：
*1：截至2015年8月6日。東芝調(diào)查。
*2：與東芝當前產(chǎn)品相比。
