-TI 新品可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用，借2000萬小時的器件可靠性測試，帶集成驅(qū)動和保護(hù)功能的高壓GaN FET在工業(yè)和電信應(yīng)用中將功率密度提高了一倍
-德州儀器（TI）近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵（GaN），50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管（FET）相比，LMG341x系列使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計(jì)。
新型德州儀器即用型600V氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用
德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨(dú)立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電流限制和過溫檢測，器件可防止意外的直通事件并防止熱失控，同時系統(tǒng)接口信號可實(shí)現(xiàn)自我監(jiān)控功能。
LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和優(yōu)勢
?更小、更有效的解決方案：與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）相比，德州儀器的集成GaN功率級可將功率密度提高一倍，并將損耗降低80%。每個器件都具有快速的1MHz開關(guān)頻率和高達(dá)100V/ns的壓擺率。
?系統(tǒng)可靠性：本產(chǎn)品組合接受了2000萬小時的設(shè)備可靠性測試，包括加速和應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)測試。此外，每個器件均提供集成的散熱和高速、100ns過流保護(hù)，以防止直通和短路情況。
?每個功率級的設(shè)備：50mΩ或70mΩ條件下，本產(chǎn)品組合中的每個器件均提供一個GaN FET、驅(qū)動器并提供保護(hù)功能，可為低于100W至10kW的應(yīng)用提供單芯片解決方案。
在德國慕尼黑電子展electronica訪問德州儀器
德州儀器（TI）將在德國慕尼黑電子展（2018年11月13日至16日）的C4展廳-131展位展示一個10kW的云網(wǎng)格鏈接演示。由德州儀器和西門子聯(lián)合開發(fā)的有源演示采用德州儀器的LMG3410R050 600V GaN FET，具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，與傳統(tǒng)的硅設(shè)計(jì)相比，幫助工程師實(shí)現(xiàn)99%的效率，功率元件尺寸可減少30%。
封裝和供貨
這些器件均采用8mm×8mm分割墊、方形扁平無引腳（QFN）封裝,現(xiàn)可從TI商店處購買。LMG3410R050, LMG3410R070和LMG3411R070的訂購單位為1000件。
