IRS2093M的4通道D類音頻放大器解決方案

2013-08-21 11:22 來源:電子信息網(wǎng) 作者:蒲公英

在多通道設(shè)計中,獨立驅(qū)動每一條通道都會消耗更多的功率、更多的元件,并占用更大的電路板空間。結(jié)果導致溫度相關(guān)設(shè)計復雜化,并且在更高的成本下聲音質(zhì)量和可靠性卻較低。

因此,為盡可能減少高性能多通道音頻系統(tǒng)的功耗和簡化相關(guān)的溫度管理,設(shè)計工程師一直希望借助能在寬輸出功率水平范圍下提供超過90%效率的高效D類音頻放大器。相比之下,適用于這個市場的傳統(tǒng)AB類放大器其效率只有50%左右,且效率會隨著輸出功率水平下降而快速下滑。同樣地,工程師還不斷研究集 成式IC的效能,以減少元件數(shù)目和電路板面積。

不論是汽車娛樂還是家庭影院系統(tǒng)市場,消費者始終要求有更多的通道和揚聲器,每個通道還要能夠處理更高的音頻功率水平。除了更高的瓦特數(shù),音響發(fā)燒友還不斷要求改善聲音質(zhì)量,減少失真和噪聲,以及通道之間出色的隔離效果。

4通道驅(qū)動器

國際整流器公司(IR)根據(jù)這種需求,把先進DirectFET功率MOSFET與創(chuàng)新的集成音頻驅(qū)動器結(jié)合,開發(fā)出一種4通道D類音頻放大器設(shè) 計,其性能可與單通道解決方案相媲美。為達到這個目標,電路采用了集成式音頻驅(qū)動器IRS2093M,該器件將4個高壓功率MOSFET驅(qū)動器的通道整合 到同一塊芯片上。此外,這款200V的器件包含專為半橋拓樸中的D類音頻放大器應(yīng)用而設(shè)計的片上誤差放大器、模擬PWM調(diào)制器、可編程預置死區(qū)時間以及可 靠的保護功能(圖1) 。除了可以防止功率MOSFET出現(xiàn)直通電流和電流沖擊,可編程預置死區(qū)時間還實現(xiàn)了功率和通道數(shù)量可擴展的功率設(shè)計。這些保護功能包括帶有自動復位控制 功能的過流保護(OCP)和欠壓閉鎖(UVLO)保護。

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圖1:這款200V器件除了把高壓功率MOSFETS驅(qū)動器的4條通道集成到同一芯片上,還配備了片上誤差放大器、模擬PWM調(diào)制器、可編程預置死區(qū)時間和先進保護功能。

為了在不同通道之間實現(xiàn)一流的隔離,音頻驅(qū)動器部署了已獲肯定的高壓結(jié)隔離技術(shù)和采用Gen 5 HVIC工藝的浮動柵極驅(qū)動器。這樣就在裸片上實現(xiàn)了良好的內(nèi)部信號隔離,這使得電路可以同時處理更多通道的信號,從而把每個通道的基本噪音保持在非常低 的水平,同時盡可能減小了通道之間的串擾。

接著,我們建構(gòu)了如圖2所示的4通道半橋D類音頻放大器電路,它結(jié)合了集成式D類音頻控制器和柵極驅(qū)動器IRS2093M,并搭配8個 IRF6665 DirectFET功率MOSFET以及幾個無源器件。該多通道音頻放大器的每個通道都被設(shè)計成能夠提供120W的輸出功率。為便于使用,該電路包含了所 有必需的內(nèi)部管理電源。

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圖2:這款4通道半橋D類音頻放大器設(shè)計采用了集成式D類音頻控制器和IRS2093M柵極驅(qū)動器,以及8顆IRF6665 DirectFET MOSFET和一些無源器件。

為達到最佳整體性能,IRF6665功率MOSFET特別針對D類放大器設(shè)計進行了優(yōu)化。除了提供低通態(tài)電阻,還對功率MOSFET做了改進以獲得 最小柵極電荷、最小體二極管反向恢復和最小內(nèi)部柵極電阻。此外,與傳統(tǒng)的引線鍵合封裝相比,DirectFET封裝可提供較低的寄生電感和電阻。簡單來 說,經(jīng)優(yōu)化的IRF6665 MOSFET能夠提供高效率和低總諧波失真(THD)以及電磁干擾(EMI)。


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IRS2093M D類音頻放大器

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