三星半導(dǎo)體發(fā)布為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造的新款高性能固態(tài)硬盤

2021-02-28 15:33 來源:美通社 作者:電源網(wǎng)

 今年4月,三星半導(dǎo)體將為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶提供一款新一代高性能固態(tài)硬盤 -- PM9A3 U.2。PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導(dǎo)體專為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造,此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。

三星半導(dǎo)體發(fā)布為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造的新款高性能固態(tài)硬盤
三星半導(dǎo)體發(fā)布為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造的新款高性能固態(tài)硬盤

 

PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導(dǎo)體專為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造,此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。
PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導(dǎo)體專為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造,此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。

PM9A3 U.2使用三星第六代3D閃存(V-NAND)技術(shù),基于NVMe協(xié)議,完全符合開放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)NVMe 云端固態(tài)硬盤規(guī)范,并能根據(jù)數(shù)據(jù)中心需求,在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面,提供高級(jí)別的解決方案。  

值得一提的是,在目前已量產(chǎn)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品中,PM9A3 U.2 實(shí)現(xiàn)了更高級(jí)別的隨機(jī)寫入性能,可滿足中國(guó)客戶的需求,更低的能耗有利于數(shù)據(jù)中心節(jié)省運(yùn)營(yíng)成本,有助于減少碳排放。

PM9A3 U.2搭載了支持PCIe 4.0技術(shù)的的全新控制器和三星第六代3D閃存(V-NAND)技術(shù),并通過固件優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了200K IOPS的穩(wěn)態(tài)隨機(jī)寫入性能,同比上一代產(chǎn)品PM983 U.2提升了4倍。

對(duì)中國(guó)運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心的科技企業(yè)而言,隨機(jī)寫入速度尤為重要,相信PM9A3U.2出色的表現(xiàn),能很好地滿足這些客戶的需求。

另外,PM9A3 U.2的4K穩(wěn)態(tài)隨機(jī)讀取性能為1100K IOPS,順序讀取速度為6900MB/s,相對(duì)上一代產(chǎn)品PM983 U.2分別提升2.2倍和2.16倍;并且,在每瓦304MB/s的順序?qū)懭胄阅鼙憩F(xiàn)中,與前代產(chǎn)品相比,能效比提高了61%。

三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)部總經(jīng)理鄭光熙先生(音譯)表示:“PM9A3 U.2是三星首個(gè)采用第六代3D閃存(V-NAND)技術(shù)并支持 PCIe4.0的NVMe固態(tài)硬盤產(chǎn)品,符合中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶運(yùn)營(yíng)所需的特定性能和功耗配置,我們期待著它成為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶的極佳解決方案?!?

從量產(chǎn)PM9A3 U.2開始,三星半導(dǎo)體將繼續(xù)加強(qiáng)與全球數(shù)據(jù)中心客戶合作,不斷推進(jìn)新一代存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展和標(biāo)準(zhǔn)化,以迎接全面開放的5G時(shí)代和不斷變化的生活方式。

性能和功耗數(shù)據(jù)基于三星內(nèi)部測(cè)量結(jié)果并符合以下條件:

1)性能

隨機(jī)性能測(cè)試工具使用的是FIO 2.1.3。操作系統(tǒng)為L(zhǎng)inux RHEL 6.6(內(nèi)核3.14.29),數(shù)據(jù)塊大小為4KB(4,096字節(jié)),隊(duì)列深度32,4個(gè)測(cè)試線程;順序性能塊大小為128KB(131072字節(jié)),隊(duì)列深度為32,1個(gè)測(cè)試線程。實(shí)際性能可能會(huì)因使用條件和環(huán)境而異。

2) 功耗

功耗是通過SSD中連接器插頭的12V電源引腳測(cè)量的。 活動(dòng)功耗和空閑功耗定義為最高平均功率,即在100毫秒持續(xù)時(shí)間內(nèi)的最大RMS平均值。 活動(dòng)功耗的測(cè)量條件假定為100%順序讀寫。

注釋:
SSD:固態(tài)硬盤, RMS:均方根, NVMe:非易失性內(nèi)存,
IOPS:每秒讀寫次數(shù),MB/s:百萬字節(jié)/秒
PCIe:高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展總線標(biāo)準(zhǔn)

免責(zé)聲明:

*產(chǎn)品圖片以及型號(hào)、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考,三星電子有可能對(duì)上述內(nèi)容進(jìn)行改進(jìn),具體信息請(qǐng)參照產(chǎn)品實(shí)物、產(chǎn)品說明書。除非經(jīng)特殊說明,本網(wǎng)站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星電子內(nèi)部測(cè)試結(jié)果,所涉及的對(duì)比,均為與三星電子傳統(tǒng)產(chǎn)品相比較。

三星半導(dǎo)體 中國(guó)數(shù)據(jù)中心

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