上海2021年11月22日 /美通社/ -- 11月19日,集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟與科百特聯(lián)合舉辦的2021集成電路超凈工藝技術(shù)Workshop在杭州蕭山區(qū)順利舉行。會議采用了線上線下同時進(jìn)行的形式,來自集成電路制造、硅材料、工藝化學(xué)品、光刻膠、CMP材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的高層、技術(shù)人員及研究院所的學(xué)者共計約80余人參加了此次會議,共同探討新技術(shù)要求下的潔凈控制。
在Workshop期間,安集微電子科技(上海)股份有限公司(簡稱“安集科技”)產(chǎn)品應(yīng)用副總監(jiān)王勝利應(yīng)邀發(fā)表題為《先進(jìn)制程刻蝕后清洗技術(shù)》演講報告。在演講中,王勝利主要分享了邏輯器件先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的后段干法刻蝕殘留物的清洗工藝技術(shù)、特別分享了有氮化鈦硬掩膜的濕法去除要求的清洗技術(shù)指標(biāo)和實際數(shù)據(jù)。在下一世代的半導(dǎo)體工藝技術(shù)的展望中,王勝利探討了半導(dǎo)體工藝中新材料和新架構(gòu)對功能性型化學(xué)品提出的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在邏輯器件5nm以后世代中GAA 結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),Ru及Air Gap的引入;在3D NAND器件中,更高層數(shù)的堆疊帶來的極高深寬比和Molly的引入, 以及在D1Z世代的DRAM中,Low K材料以及新的電容材料的引入,帶來了很多新的并且很有挑戰(zhàn)性的功能性化學(xué)品機(jī)會,并展示了安集科技對于這些新的應(yīng)用的理解和研發(fā)布局。
王勝利表示過去的十多年以來安集科技的功能性濕電子化學(xué)品已經(jīng)在大批量穩(wěn)定供應(yīng)國內(nèi)外的不同客戶,其應(yīng)用范圍集中于中后道工藝,包括鋁、銅的后道互聯(lián)及晶圓級封裝領(lǐng)域。安集科技始終專注于CMP拋光液及功能性濕電子化學(xué)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,經(jīng)過17年來的積累沉淀,具備成熟而強(qiáng)大的研發(fā)、生產(chǎn)、技術(shù)支持及質(zhì)量管控能力。
作為功能性濕電子化學(xué)品的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)之一,安集科技一直聚焦于國內(nèi)成熟工藝和國際半導(dǎo)體最前沿的工藝技術(shù)兩方面,研發(fā)對應(yīng)的功能性化學(xué)品技術(shù),滿足國內(nèi)外半導(dǎo)體企業(yè)對于成熟工藝量產(chǎn)的和先進(jìn)工藝發(fā)展的不同需求,致力于尋求與客戶和合作伙伴的更好合作,為集成電路產(chǎn)業(yè)提供強(qiáng)有力的供應(yīng)保障。