意法半導(dǎo)體發(fā)布功率技術(shù)讓設(shè)施更節(jié)能環(huán)保

2013-08-22 10:20 來(lái)源:電子信息網(wǎng) 作者:蒲公英

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出能夠降低電信系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、工業(yè)自動(dòng)化以及汽車電子等應(yīng)用設(shè)備的環(huán)境影響的新一代高能效功率器件。

意法半導(dǎo)體全新STripFET? VII DeepGATE? MOSFET 在當(dāng)前市場(chǎng)銷售的80V和100V功率晶體管中擁有最高的導(dǎo)通效率,同時(shí)提高了開關(guān)效率。此外,新產(chǎn)品有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),使用數(shù)量更少且封裝更小的器件滿足系統(tǒng)功耗和能效目標(biāo),從而降低了設(shè)備尺寸和成本。

增強(qiáng)的MOSFET柵結(jié)構(gòu)是意法半導(dǎo)體STripFET VII DeepGATE技術(shù)的重要進(jìn)步,降低器件通態(tài)電阻的同時(shí)還降低了內(nèi)部電容和柵電荷,進(jìn)一步提高開關(guān)速度和效率。新產(chǎn)品的抗雪崩能力優(yōu)異,使產(chǎn)品在可能損壞器件的惡劣條件中仍可正常工作,因此STripFET VII DeepGATE是汽車電子應(yīng)用的最佳選擇。

現(xiàn)在可訂購(gòu)的STripFET VII DeepGATE樣片或產(chǎn)品超過(guò)15種,包括STP270N8F7 80V器件和若干100V器件,客戶可選擇TO-220、DPAK、PowerFLAT? 5x6和2針腳或6針腳H2PAK封裝。如需大量訂購(gòu),請(qǐng)聯(lián)絡(luò)意法半導(dǎo)體銷售辦事處。

關(guān)于意法半導(dǎo)體MOSFET和電壓額定值:

STripFET VII DeepGATE是意法半導(dǎo)體強(qiáng)大的MOSFET技術(shù)家族的新成員,在各種應(yīng)用使用的主要電壓額定值下,提供業(yè)界領(lǐng)先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技術(shù)特別適用于直流電壓驅(qū)動(dòng)的電氣系統(tǒng),如電信設(shè)備廣泛使用的48V直流電壓。80V或100V器件具有充足的安全裕量,可承受在48V系統(tǒng)中常見的過(guò)壓電涌。優(yōu)異的可靠性讓STripFET VII DeepGATE還可用于12V或24V汽車電子應(yīng)用。

工業(yè)電源還需要像MDmesh? 超結(jié)技術(shù)一樣的功率技術(shù),因?yàn)榇隧?xiàng)技術(shù)在較高電壓額定值時(shí)能效十分優(yōu)異。600V或650V MDmesh器件為交流-直流電源、照明鎮(zhèn)流器和顯示器提供適合的安全裕量。意法半導(dǎo)體近期發(fā)布的全新高能效MDmesh產(chǎn)品系列以低柵電荷為特色,適用于諧振型功率轉(zhuǎn)換器,如液晶電視電源(MDmesh II Low Qg)。

關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;ST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù),到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,從醫(yī)療健身設(shè)備,到智能消費(fèi)電子,從家電、汽車,到辦公設(shè)備,從工作到娛樂,意法半導(dǎo)體的微電子器件無(wú)所不在,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念。

意法半導(dǎo)體 功率技術(shù)

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