上海2024年1月4日 /美通社/ -- 瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,以應(yīng)對(duì)新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)內(nèi)存速率和帶寬不斷攀升的需求。
作為內(nèi)存接口技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,瀾起科技在 全球微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC中牽頭制定DDR5 RCD芯片國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),并保持高水平研發(fā)投入,持續(xù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行迭代升級(jí)。自2021年發(fā)布DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片后,瀾起科技又相繼于2022年、2023年成功發(fā)布了DDR5第二子代、第三子代RCD芯片。
通過不斷升級(jí)打磨產(chǎn)品和技術(shù),瀾起科技于近期在DDR5第四子代RCD芯片的研發(fā)上再次取得成功,進(jìn)一步鞏固了公司在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。目前,瀾起科技已將DDR5 RCD04工程樣片送樣給主要內(nèi)存廠商,助力客戶進(jìn)行新一代內(nèi)存產(chǎn)品研發(fā)。
瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示:"RCD芯片是內(nèi)存模組的核心組件,是CPU與內(nèi)存之間進(jìn)行數(shù)據(jù)交互的重要通道。隨著人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用飛速發(fā)展,不斷增長(zhǎng)的CPU算力對(duì)內(nèi)存性能的要求日益增長(zhǎng)。瀾起科技最新的DDR5 RCD04芯片可助力服務(wù)器系統(tǒng)突破性能瓶頸,為要求苛刻的工作負(fù)載提供關(guān)鍵支持。"
除了RCD芯片以外,瀾起科技還提供DDR5數(shù)據(jù)緩沖器(DB)、串行檢測(cè)集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內(nèi)存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內(nèi)存模組的重要組件,可配合RCD芯片為DDR5內(nèi)存模組提供多種必不可少的功能和特性。
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