我們對(duì)Intel的200GB 710企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的主要興趣是，產(chǎn)品設(shè)計(jì)重點(diǎn)主要放在耐用性、可靠性和功效上。而將多層單元(MLC)NAND閃存用作主存儲(chǔ)部件也值得關(guān)注。Intel將固態(tài)硬盤(pán)中的這種MLC NAND實(shí)現(xiàn)稱為高耐用性技術(shù)(HET)。
據(jù)Intel介紹，HET包含有Intel自己開(kāi)發(fā)的固件、Intel控制器和高循環(huán)次數(shù)NAND。這種技術(shù)結(jié)合了NAND硅增強(qiáng)性能和獨(dú)特的固態(tài)硬盤(pán)NAND管理技術(shù)，可擴(kuò)展基于MLC的固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入耐用性，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的耐用性和操作性能。Intel HET固件增強(qiáng)方面除了一般的工業(yè)糾錯(cuò)碼(ECC)標(biāo)準(zhǔn)外，還包括優(yōu)化的錯(cuò)誤避免技術(shù)、寫(xiě)入放大率抑制算法以及系統(tǒng)級(jí)錯(cuò)誤管理功能。
單層單元(SLC)閃存通常是企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的更理想選擇，因?yàn)閺囊粋€(gè)單元讀取一個(gè)比特的誤差率非常低，而且耐用性也很高。而多層單元(MLC)閃存存在更高的誤碼率，因此讓人感覺(jué)耐用性也低很多。然而，業(yè)界一直致力于研究在企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)中使用MLC閃存，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁└蟮拇鎯?chǔ)容量，降低生產(chǎn)成本。
通過(guò)HET實(shí)現(xiàn)，Intel想到了一種實(shí)現(xiàn)更具可靠性的MLC閃存的方法，它基于這樣一個(gè)事實(shí)：一個(gè)批次中并不是所有MLC閃存芯片都具有相同的特性。一些芯片可能具有更高的讀性能和更好的數(shù)據(jù)保持質(zhì)量，對(duì)這些特性的理解成為了Intel在710固態(tài)硬盤(pán)中將MLC NAND閃存用作HET的主要原因。
1.20個(gè)MT29F16B08CCME1 NAND MLC集成電路，以鏡像方式安裝在電路板的正反面，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)容量高達(dá)200GB的Intel 710固態(tài)硬盤(pán)。
每個(gè)NAND閃存器件封裝包含兩個(gè)堆疊的64Gb、25nm L74A NAND閃存裸片，因此每個(gè)封裝容量為128Gb?？偟拈W存容量實(shí)際上是320GB，因此具有很高程度的預(yù)留空間。
2.系統(tǒng)存儲(chǔ)控制器使用了一個(gè)512Mb的海力士H55S5162EFR移動(dòng)SDRAM。Intel使用移動(dòng)SDRAM的決定是很有意義的，因?yàn)樗芴峁┮蟮男阅艿燃?jí)，同時(shí)又能最大限度地降低功耗。這里降低功耗很重要，因?yàn)樵谟脖P(pán)工作時(shí)DRAM具有很大的處理工作量，特別是在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中。
3.并聯(lián)使用了6個(gè)470μF的電容，可以存儲(chǔ)要求的緊急電量，并在發(fā)生電源故障時(shí)讓硬盤(pán)有足夠長(zhǎng)的時(shí)間退出正在進(jìn)行的操作。總?cè)萘拷咏?.8mF。這種方法不僅能在短時(shí)間內(nèi)給硬盤(pán)提供足夠的電能，而且不會(huì)占用很大的電路板空間。
4.這種固態(tài)硬盤(pán)使用了Intel的PC29AS21BA0控制器。其它Intel固態(tài)硬盤(pán)也使用這種控制器，但很可能固件得到了更新，使得它特別適合710硬盤(pán)的使用情況。
