集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心，是國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，在推動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展、社會(huì)進(jìn)步、提高人民生活水平以及保障國(guó)家安全等方面發(fā)揮著重要作用，已成為當(dāng)前國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)和衡量一個(gè)國(guó)家或地區(qū)現(xiàn)代化程度以及綜合國(guó)力的重要標(biāo)志。
“十一五”期間，大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，盡快建立一個(gè)自主創(chuàng)新能力不斷提高、產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大的產(chǎn)業(yè)體系，對(duì)于保障信息安全、經(jīng)濟(jì)安全，增強(qiáng)國(guó)防實(shí)力，以及推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步，提高人民生活水平，具有極其重要的戰(zhàn)略意義和現(xiàn)實(shí)意義。
按照《國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十一個(gè)五年規(guī)劃綱要》中“大力發(fā)展集成電路、軟件和新型元器件等核心產(chǎn)業(yè)”以及《信息產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃》中“完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈”的總體要求，在深入研究、廣泛調(diào)研的基礎(chǔ)上，突出集成電路行業(yè)的特點(diǎn)，編制集成電路專項(xiàng)規(guī)劃，作為集成電路行業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)性文件和加強(qiáng)行業(yè)管理的依據(jù)。
“十五”回顧
產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)大。自從18號(hào)文件頒布以來(lái)，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入發(fā)展最快的歷史階段。2005年集成電路產(chǎn)量達(dá)到266億塊，銷售收入由2000年的186億元提高到2005年的702億元，年均增長(zhǎng)30.4%，占世界集成電路產(chǎn)業(yè)中的份額由1.2%提高到4.5%。市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)大，2005年我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模較2000年翻了兩番，達(dá)到3800億元，占全球比重達(dá)25%，成為全球僅次于美國(guó)的第二大集成電路市場(chǎng)。
部分關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破。32位CPU芯片、網(wǎng)絡(luò)路由交換芯片、GSM/GPRS手機(jī)基帶芯片、TD-SCDMA基帶芯片、數(shù)字音視頻和多媒體處理芯片、第二代居民身份證芯片等一批中高端產(chǎn)品相繼研發(fā)成功并投入市場(chǎng)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力達(dá)到0.18微米，集成度超過(guò)千萬(wàn)門;集成電路芯片生產(chǎn)線工藝水平達(dá)到12英寸0.13微米，90納米工藝技術(shù)研發(fā)取得進(jìn)展，與國(guó)外先進(jìn)水平之間的差距明顯縮小;分辨率193nmArF準(zhǔn)分子激光步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)、100nm大角度離子注入機(jī)、100nm高密度離子刻蝕機(jī)等重大技術(shù)裝備取得重要突破。
產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)日趨合理。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)已初步形成了設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試三業(yè)并舉、較為協(xié)調(diào)的發(fā)展格局。經(jīng)過(guò)“十五”的發(fā)展，設(shè)計(jì)業(yè)和芯片制造業(yè)在產(chǎn)業(yè)中的比重顯著提高，由2000年的31%提高到2005年的50.9%，封裝與測(cè)試比重由同期的69%下降到49.1%，較為合理的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)初步形成。
骨干企業(yè)成長(zhǎng)迅速。2005年銷售額過(guò)億元的集成電路設(shè)計(jì)公司已近20家，一批集成電路設(shè)計(jì)公司成功上市。上海華虹NEC電子有限公司、中芯國(guó)際集成電路制造有限公司等企業(yè)的工藝技術(shù)水平大幅提高，國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力顯著增強(qiáng)，成為全球第七位和第三位芯片加工企業(yè)。2005年銷售額過(guò)10億元的封裝測(cè)試企業(yè)超過(guò)10家，江陰長(zhǎng)電科技股份有限公司、南通富士通微電子股份有限公司、天水華天科技股份有限公司等封裝測(cè)試企業(yè)產(chǎn)能不斷擴(kuò)大，技術(shù)水平不斷提升。
產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)凸顯。集成電路產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)明顯，2005年長(zhǎng)江三角洲、京津地區(qū)集成電路銷售額之和達(dá)到644.17億元，占同年全國(guó)總銷售額的91.7%。國(guó)家(上海)集成電路產(chǎn)業(yè)園、國(guó)家(蘇州)集成電路產(chǎn)業(yè)園等5個(gè)國(guó)家級(jí)集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)集聚和輻射帶動(dòng)作用日益顯現(xiàn)。
產(chǎn)業(yè)環(huán)境逐步改善。《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策》(國(guó)發(fā)[2000]18號(hào))的頒布實(shí)施，集成電路專項(xiàng)研發(fā)資金的設(shè)立，知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)力度不斷加強(qiáng)，為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)提供了良好的政策環(huán)境，極大地調(diào)動(dòng)了國(guó)內(nèi)外各方面投資集成電路產(chǎn)業(yè)的積極性，5年來(lái)吸引外資累計(jì)約160億美元。
盡管“十五”期間成績(jī)顯著，但是集成電路產(chǎn)業(yè)仍存在諸多問(wèn)題。產(chǎn)業(yè)政策尚未完全落實(shí)到位，投融資環(huán)境還有待進(jìn)一步改善;自主創(chuàng)新能力薄弱，缺乏核心技術(shù)和自主品牌;產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入嚴(yán)重不足，總體技術(shù)水平與國(guó)外有很大差距;制造技術(shù)以代工為主，缺乏自主品牌;產(chǎn)業(yè)規(guī)模小，與國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模差距較大;產(chǎn)品結(jié)構(gòu)滯后于市場(chǎng)需求，進(jìn)出口貿(mào)易逆差不斷擴(kuò)大;集成電路專用材料及設(shè)備自給率低，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈并未完善;集成電路高級(jí)專業(yè)人才缺乏。
“十一五”面臨的形勢(shì)
(一)集成電路技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
市場(chǎng)和技術(shù)雙重驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新。第三代移動(dòng)通信、數(shù)字電視、下一代互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域重大技術(shù)和市場(chǎng)的快速發(fā)展，“三網(wǎng)融合”的不斷推進(jìn)，驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品創(chuàng)新。多技術(shù)、多應(yīng)用的融合將催生新的集成電路產(chǎn)品出現(xiàn)，納米技術(shù)的發(fā)展、新體系架構(gòu)等新技術(shù)發(fā)明也在孕育著新的突破。
集成電路設(shè)計(jì)新技術(shù)不斷涌現(xiàn)。隨著90納米及以下微細(xì)加工技術(shù)和SoC設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展，軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)，高速、高頻、低功耗設(shè)計(jì)，IP復(fù)用、芯片綜合/時(shí)序分析、可測(cè)性/可調(diào)試性設(shè)計(jì)，總線架構(gòu)、可靠性設(shè)計(jì)等技術(shù)將得到更快的發(fā)展和更廣泛的應(yīng)用。
65納米～45納米工藝將實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化?！笆晃濉逼陂g，12英寸、65納米～45納米微細(xì)加工工藝將實(shí)現(xiàn)工業(yè)化大生產(chǎn)，銅互聯(lián)工藝、高K、低K介質(zhì)材料等將大規(guī)模采用;新型柵層材料、下一代光刻技術(shù)、光學(xué)和后光學(xué)掩模版、新型可制造互連結(jié)構(gòu)和材料、光刻膠等工藝、材料將成為技術(shù)研發(fā)的重點(diǎn);SOI、SiGe等材料顯示出了良好的應(yīng)用前景。
適應(yīng)更高要求的新型封裝及測(cè)試技術(shù)成為主流。集成電路封裝正向高密度、高頻、大功率、高可靠性、低成本的方向發(fā)展。球柵陣列封裝(BGA)、芯片倒裝焊(Flipchip)、堆疊多芯片技術(shù)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、芯片級(jí)封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等封裝類型將是“十一五”期間的主流封裝形式。隨著芯片性能的提高和規(guī)模的擴(kuò)大，測(cè)試復(fù)雜度不斷提高，自動(dòng)測(cè)試技術(shù)和測(cè)試設(shè)備將快速發(fā)展，高速器件接口、可靠性篩選方法、高效率和低成本的測(cè)試技術(shù)等將成為測(cè)試的發(fā)展重點(diǎn)。
(二)集成電路市場(chǎng)分析
從上世紀(jì)70年代以來(lái)，世界集成電路市場(chǎng)雖有波動(dòng)，但仍保持了年均約15%的增長(zhǎng)率。經(jīng)歷了2001年的衰退后，世界集成電路市場(chǎng)銷售額逐年增長(zhǎng)，2005年實(shí)現(xiàn)銷售額1928億美元，達(dá)到歷史最高水平。預(yù)計(jì)“十一五”期間，集成電路整體市場(chǎng)將保持平穩(wěn)增長(zhǎng)，波動(dòng)幅度將趨緩，到2010年世界集成電路市場(chǎng)規(guī)模約為3000億美元，平均增長(zhǎng)率約14%。微處理器與微控制器、邏輯電路和存儲(chǔ)器等三大類通用集成電路仍將占據(jù)主要市場(chǎng)，專用集成電路市場(chǎng)將較快增長(zhǎng)。
未來(lái)5年，我國(guó)集成電路市場(chǎng)將進(jìn)一步擴(kuò)大，預(yù)計(jì)年均增長(zhǎng)速度約為20%，到2010年，我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模將突破8300億元(2006～2010年我國(guó)集成電路市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)見下表)，采用0.18微米及以下技術(shù)的產(chǎn)品將逐步成為市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，產(chǎn)品技術(shù)水平多代共存將是我國(guó)集成電路市場(chǎng)的特點(diǎn)。
信息技術(shù)的快速發(fā)展，新應(yīng)用領(lǐng)域的出現(xiàn)如移動(dòng)通信、數(shù)字音視頻產(chǎn)品、智能家庭網(wǎng)絡(luò)、下一代互聯(lián)網(wǎng)、信息安全產(chǎn)品、3C融合產(chǎn)品、智能卡和電子標(biāo)簽、汽車電子等的需求將形成集成電路新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。
“十一五”期間我國(guó)集成電路進(jìn)口額年均增長(zhǎng)率將在15%以上，貿(mào)易逆差局面難以得到改變。
(三)集成電路產(chǎn)業(yè)面臨的環(huán)境
國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境將不斷改善。中央、地方各級(jí)政府和有關(guān)部門高度重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)與集成電路產(chǎn)
業(yè)發(fā)展的若干政策》等政策的出臺(tái)，將為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更加有利的政策環(huán)境。
投資強(qiáng)度和技術(shù)門檻越來(lái)越高。1條12英寸集成電路前工序生產(chǎn)線投資規(guī)模超過(guò)15億美元，產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)成本上升到幾百萬(wàn)美元乃至上千萬(wàn)美元。企業(yè)的資金實(shí)力和技術(shù)創(chuàng)新能力成為競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
國(guó)外高端技術(shù)轉(zhuǎn)移限制仍將繼續(xù)。作為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，全球主要發(fā)達(dá)國(guó)家越來(lái)越重視集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，為保持其領(lǐng)先地位，仍將控制關(guān)鍵技術(shù)裝備、材料、高端設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)向發(fā)展中國(guó)家轉(zhuǎn)移，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)仍將長(zhǎng)期存在。
知識(shí)產(chǎn)權(quán)和專利等摩擦將加劇。隨著全球化競(jìng)爭(zhēng)的不斷深入，跨國(guó)公司利用其在技術(shù)、市場(chǎng)和資金的主導(dǎo)地位，更多地采用知識(shí)產(chǎn)權(quán)等技術(shù)手段開展競(jìng)爭(zhēng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展面臨各方面的壓力。
“十一五”發(fā)展思路與目標(biāo)
(一)發(fā)展思路
繼續(xù)落實(shí)和完善產(chǎn)業(yè)政策，著力提高自主創(chuàng)新能力，推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)協(xié)調(diào)發(fā)展。以應(yīng)用為先導(dǎo)、優(yōu)先發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)業(yè);積極發(fā)展集成器件制造(IDM)模式，鼓勵(lì)新一代芯片生產(chǎn)線建設(shè)，推動(dòng)現(xiàn)有生產(chǎn)線的技術(shù)升級(jí);提升高密度封裝測(cè)試能力;增強(qiáng)關(guān)鍵設(shè)備儀器和基礎(chǔ)材料的開發(fā)能力。形成以設(shè)計(jì)業(yè)為龍頭、制造業(yè)為核心、設(shè)備制造和配套產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ)，較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。
設(shè)計(jì)業(yè)：鼓勵(lì)設(shè)計(jì)業(yè)與整機(jī)之間的合作，加快涉及國(guó)家安全和量大面廣集成電路產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開發(fā)，培育一批具有較強(qiáng)自主創(chuàng)新能力的骨干企業(yè)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品。
制造業(yè)：鼓勵(lì)現(xiàn)有生產(chǎn)線的技術(shù)升級(jí)和改造，形成90納米工藝技術(shù)的加工能力;積極發(fā)展集成器件制造(IDM)模式，鼓勵(lì)新一代芯片生產(chǎn)線建設(shè);引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)向有基礎(chǔ)、有條件的地區(qū)集聚，形成規(guī)模效應(yīng)。
封裝測(cè)試業(yè)：加快封裝測(cè)試業(yè)的技術(shù)升級(jí)。積極調(diào)整產(chǎn)品、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，重點(diǎn)發(fā)展SIP、Flipchip、BGA、CSP、MCM等先進(jìn)封裝技術(shù)，提高測(cè)試水平和能力。
材料、設(shè)備等支撐業(yè)：以部分關(guān)鍵設(shè)備、材料為突破口，重視基礎(chǔ)技術(shù)研究，加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，提高支撐能力。
(二)發(fā)展目標(biāo)
1.主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
到2010年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)量達(dá)到800億塊，實(shí)現(xiàn)銷售收入約3000億元，年均增長(zhǎng)率達(dá)到30%，約占世界集成電路市場(chǎng)份額的10%，滿足國(guó)內(nèi)30%的市場(chǎng)需求。
2.結(jié)構(gòu)調(diào)整目標(biāo)
到2010年，集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步得到優(yōu)化，芯片設(shè)計(jì)業(yè)在行業(yè)中的比重提高到23%，芯片制造業(yè)、封裝與測(cè)試業(yè)比重分別為29%和48%，形成基本合理的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
3.技術(shù)創(chuàng)新目標(biāo)
到2010年，芯片設(shè)計(jì)能力大幅提升，開發(fā)一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心芯片，主流設(shè)計(jì)水平達(dá)到0.13μm～90nm;國(guó)內(nèi)重點(diǎn)整機(jī)應(yīng)用自主開發(fā)集成電路產(chǎn)品的比例達(dá)到30%左右。芯片制造業(yè)的大生產(chǎn)技術(shù)達(dá)到12英寸、90nm-65nm;封裝測(cè)試業(yè)進(jìn)入國(guó)際主流領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)封裝(SiP)、芯片倒裝焊(Flipchip)、球柵陣列封裝(BGA)、芯片級(jí)封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等新型封裝形式的規(guī)模生產(chǎn)能力。12英寸部分關(guān)鍵技術(shù)裝備、材料取得突破并進(jìn)入生產(chǎn)線應(yīng)用。
重點(diǎn)任務(wù)
(一)加快集成電路共性技術(shù)研發(fā)和公共服務(wù)平臺(tái)建設(shè)
面向產(chǎn)業(yè)需求，建立企業(yè)化運(yùn)作、面向行業(yè)的、產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合的國(guó)家集成電路研發(fā)中心，重點(diǎn)開發(fā)SoC等產(chǎn)品設(shè)計(jì)、納米級(jí)工藝制造、先進(jìn)封裝與測(cè)試等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的共性關(guān)鍵技術(shù)，為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展提供技術(shù)來(lái)源和技術(shù)支持。
支持集成電路公共服務(wù)平臺(tái)的建設(shè)，為企業(yè)提供產(chǎn)品開發(fā)和測(cè)試環(huán)境，在EDA設(shè)計(jì)工具、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)、產(chǎn)品評(píng)測(cè)等方面提供公共服務(wù)，促進(jìn)中小企業(yè)的發(fā)展。
(二)重點(diǎn)支持量大面廣產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
面向高清晰度數(shù)字電視、移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)、信息安全產(chǎn)品、智能卡及電子標(biāo)簽產(chǎn)品、汽車電子等市場(chǎng)需求大的整機(jī)市場(chǎng)，引導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)與整機(jī)結(jié)合，加大重點(diǎn)領(lǐng)域?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)的開發(fā)力度，重點(diǎn)開發(fā)數(shù)字音視頻相關(guān)信源、信道芯片、圖像處理芯片，移動(dòng)通信終端基帶芯片、高端通信處理芯片、信息安全芯片等量大面廣的產(chǎn)品，形成一批擁有核心技術(shù)的企業(yè)和具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品。
(三)增強(qiáng)芯片制造和封裝測(cè)試能力
提高產(chǎn)業(yè)控制力，支持“909”工程升級(jí)改造;繼續(xù)堅(jiān)持對(duì)外開放，積極利用外資，鼓勵(lì)集成器件制造(IDM)模式的集成電路企業(yè)發(fā)展，促進(jìn)設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)的協(xié)調(diào)互動(dòng)發(fā)展;重點(diǎn)發(fā)展12英寸集成電路生產(chǎn)線，建設(shè)5條以上12英寸、90納米的芯片生產(chǎn)線;建設(shè)10條8英寸0.13微米～0.11微米芯片生產(chǎn)線，提高6英寸～8英寸生產(chǎn)線的資源利用水平;加強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)工藝模塊開發(fā)和IP核的開發(fā)，不斷滿足國(guó)內(nèi)芯片加工需求。積極采用新封裝測(cè)試技術(shù)，重點(diǎn)發(fā)展BGA、PGA、CSP、MCM、SIP等先進(jìn)封裝技術(shù)，擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，提高測(cè)試技術(shù)和水平。
(四)突破部分專用設(shè)備儀器和材料
掌握6英寸～8英寸集成電路設(shè)備的制備工藝技術(shù)，重點(diǎn)發(fā)展8英寸～12英寸集成電路生產(chǎn)設(shè)備，包括光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、平坦化設(shè)備、摻雜設(shè)備、快速熱處理設(shè)備，劃片機(jī)、鍵合機(jī)、硅片減薄機(jī)、集成電路自動(dòng)封裝系統(tǒng)等設(shè)備，具備為6英寸～8英寸生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和翻新能力;力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)100nm分辨率193nmArF準(zhǔn)分子激光步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)、高密度等離子體多晶硅刻蝕機(jī)、大角度傾斜大劑量離子注入機(jī)等重大關(guān)鍵裝備產(chǎn)業(yè)化;重點(diǎn)開發(fā)12英寸硅拋光片和8英寸、12英寸硅外延片，鍺硅外延片，SOI材料，寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料、光刻膠、化學(xué)試劑，特種氣體、引線框架等材料，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供有力支撐。
(五)推進(jìn)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)
發(fā)揮國(guó)家、地方政府和各產(chǎn)業(yè)園區(qū)的積極性，重點(diǎn)建設(shè)北京、天津、上海、蘇州、寧波等國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)園，不斷優(yōu)化發(fā)展環(huán)境、完善配套服務(wù)設(shè)施，引導(dǎo)集成電路企業(yè)落戶園區(qū)，以園區(qū)內(nèi)骨干企業(yè)為龍頭，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，帶動(dòng)相關(guān)企業(yè)的發(fā)展，提高園區(qū)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。
政策措施
(一)加快制定法規(guī)與政策，進(jìn)一步營(yíng)造良好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境
積極推進(jìn)《軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)條例》的編制，加快推出《關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》，加大知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)力度，促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。
(二)進(jìn)一步加大投入力度
加大政府投入，形成集成電路專項(xiàng)研發(fā)資金穩(wěn)定增長(zhǎng)機(jī)制。研究設(shè)立“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金”，鼓勵(lì)集成電路企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品開發(fā)，促進(jìn)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步;組織實(shí)施集成電路重大工程和國(guó)家科技重大專項(xiàng)，研發(fā)集成電路關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品;鼓勵(lì)國(guó)家政策性金融機(jī)構(gòu)重點(diǎn)支持重點(diǎn)集成電路技術(shù)改造、技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;支持集成電路企業(yè)在境內(nèi)外上市融資;鼓勵(lì)境內(nèi)外各類經(jīng)濟(jì)組織和個(gè)人投資集成電路產(chǎn)業(yè)。
(三)繼續(xù)擴(kuò)大對(duì)外開放，提高利用外資質(zhì)量
堅(jiān)持對(duì)外開放，繼續(xù)優(yōu)化環(huán)境，大力吸引國(guó)(境)外資金、技術(shù)和人才。重點(diǎn)吸引有實(shí)力的跨國(guó)公司在國(guó)內(nèi)建設(shè)高水平的研發(fā)中心、生產(chǎn)中心和運(yùn)營(yíng)中心，不斷提高國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)管理、市場(chǎng)開拓、人才培養(yǎng)能力。積極提高資源利用效率，完善外商投資項(xiàng)目核準(zhǔn)辦法，適時(shí)調(diào)整《外商投資產(chǎn)業(yè)指導(dǎo)目錄》，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局，減少低水平盲目重復(fù)建設(shè)。
(四)加強(qiáng)人才培養(yǎng)，積極引進(jìn)海外人才
建立、健全集成電路人才培訓(xùn)體系，加快建設(shè)和發(fā)展微電子學(xué)院和微電子職業(yè)培訓(xùn)機(jī)構(gòu)，形成多層次的人才梯隊(duì)，重點(diǎn)培養(yǎng)國(guó)際化的、高層次、復(fù)合型集成電路人才;加大國(guó)際化人才引進(jìn)工作力度，大力引進(jìn)國(guó)外優(yōu)秀集成電路人才;引入競(jìng)爭(zhēng)激勵(lì)機(jī)制，制定激發(fā)人才創(chuàng)造才能的獎(jiǎng)勵(lì)政策和分配機(jī)制，創(chuàng)造有利于集成電路人才發(fā)展的寬松環(huán)境。
