8月6日消息，位于美國加州的創(chuàng)業(yè)公司 Crossbar 今天發(fā)布了一種新型的芯片，能以郵票大小的體積存儲 1TB 的數(shù)據(jù)。這種芯片采用 RRAM 技術(可變電阻式記憶體，Resistive Random Access Memory)，可顛覆傳統(tǒng)的閃速存儲器，數(shù)據(jù)存儲速度是其 20 倍，很有可能成為每年 600 億美元閃存市場的有力競爭者。
由于閃存是從 iPhone 到平板電腦到數(shù)碼相機都必備的硬件之一，因此 Crossbar 的前景被投資者看好，獲得了來自 Kleiner Perkins Caufield & Byers，Artiman Ventures 和 Northern Light Venture Capital 的 2500 萬投資。
和閃存一樣，RRAM 也是一種非易失性的存儲器，這意味著數(shù)據(jù)可以永久儲存不丟失，哪怕是在電源被切斷的情況下。而 Crossbar 在其設計中采用了三層結構的設計——一個非金屬底層電極，中間的無定形硅交換介質，還有最上層的金屬電極。當電壓施加至兩電極時，它交換介質內會形成一定數(shù)量的電阻細絲，因此其電阻式可變換的。
通過 Crossbar 的芯片，未來手機和平板的存儲速度、備份、歸檔等各方面性能都將有所提升。而從企業(yè)角度出發(fā)，供應商可以在數(shù)據(jù)中心中搭建 SSD 和云計算設備。RRAM 還可運用于物聯(lián)網(wǎng)中，甚至智能電表、恒溫器這樣的智能設備，以及諸如 Google Glass 等可穿戴式設備，因為它的電耗更低，可以延長電池使用壽命。
目前 Crossbar 團隊有 20 位成員，正準備自己制造芯片并向市場出售，同時也打算向 system-on-a-chip 的供應商提供技術支持，在同個芯片中將 RRAM 和其它組件聯(lián)系到一起。Crossbar 申請了 100 項相關專利，其中 30 項已被批獲。
IHS 的高級分析師 Michael Yang 說：我們今天所存儲的 90% 的數(shù)據(jù)都是近兩年產生的。實時的數(shù)據(jù)生成和接收越來越成為現(xiàn)代生活的一部分，并且在未來幾年還會快速增長。然而，我們過去一直沿用至今的存儲方式，比如二維的 NAND(一種存儲技術)，在物理和工程方面都顯露出巨大的局限性。而Crossbar 的 RRAM 恰好邁過了這道門檻，因此很有可能成為未來取代性的存儲技術解決方案。
