IRS2093M的4通道D類音頻放大器設計

2013-09-27 00:43 來源:電子信息網 作者:和靜

在多通道設計中,獨立驅動每一條通道都會消耗更多的功率、更多的元件,并占用更大的電路板空間。結果導致溫度相關設計復雜化,并且在更高的成本下聲音質量和可靠性卻較低。

因此,為盡可能減少高性能多通道音頻系統的功耗和簡化相關的溫度管理,設計工程師一直希望借助能在寬輸出功率水平范圍下提供超過90%效率的高效D類音頻放大器。相比之下,適用于這個市場的傳統AB類放大器其效率只有50%左右,且效率會隨著輸出功率水平下降而快速下滑。同樣地,工程師還不斷研究集 成式IC的效能,以減少元件數目和電路板面積。

不論是汽車娛樂還是家庭影院系統市場,消費者始終要求有更多的通道和揚聲器,每個通道還要能夠處理更高的音頻功率水平。除了更高的瓦特數,音響發(fā)燒友還不斷要求改善聲音質量,減少失真和噪聲,以及通道之間出色的隔離效果。

4通道驅動器

國際整流器公司(IR)根據這種需求,把先進DirectFET功率MOSFET與創(chuàng)新的集成音頻驅動器結合,開發(fā)出一種4通道D類音頻放大器設 計,其性能可與單通道解決方案相媲美。為達到這個目標,電路采用了集成式音頻驅動器IRS2093M,該器件將4個高壓功率MOSFET驅動器的通道整合 到同一塊芯片上。此外,這款200V的器件包含專為半橋拓樸中的D類音頻放大器應用而設計的片上誤差放大器、模擬PWM調制器、可編程預置死區(qū)時間以及可 靠的保護功能(圖1) 。除了可以防止功率MOSFET出現直通電流和電流沖擊,可編程預置死區(qū)時間還實現了功率和通道數量可擴展的功率設計。這些保護功能包括帶有自動復位控制 功能的過流保護(OCP)和欠壓閉鎖(UVLO)保護。

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圖1:這款200V器件除了把高壓功率MOSFETS驅動器的4條通道集成到同一芯片上,還配備了片上誤差放大器、模擬PWM調制器、可編程預置死區(qū)時間和先進保護功能。

為了在不同通道之間實現一流的隔離,音頻驅動器部署了已獲肯定的高壓結隔離技術和采用Gen 5 HVIC工藝的浮動柵極驅動器。這樣就在裸片上實現了良好的內部信號隔離,這使得電路可以同時處理更多通道的信號,從而把每個通道的基本噪音保持在非常低 的水平,同時盡可能減小了通道之間的串擾。

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音頻放大器 IRS2093M

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