SanDisk于日前表示，正與東芝(Toshiba)合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠(Fab 5)第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸，預(yù)做準(zhǔn)備。
SanDisk亞太區(qū)副總裁吳家榮表示，隨著智能手機(jī)、平板裝置及超輕薄筆電(Ultrabook)配備NAND Flash和固態(tài)硬盤(SSD)比重不斷攀升，NAND Flash記憶體市場(chǎng)將持續(xù)供不應(yīng)求，因而吸引各NAND Flash供應(yīng)商紛紛投入擴(kuò)產(chǎn)，以紓解供貨緊縮的問題。
吳家榮進(jìn)一步指出，該公司與東芝合資的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠，即將啟動(dòng)第二期擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，將持續(xù)采用最先進(jìn)的19奈米制程技術(shù)，預(yù)定于2014年下半年正式投產(chǎn);此外，SanDisk亦將藉由該工廠進(jìn)行3D NAND技術(shù)的研發(fā)。
據(jù)了解，五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠第二期擴(kuò)產(chǎn)工程，一方面將導(dǎo)入19奈米制程投產(chǎn)2D NAND Flash存儲(chǔ)器;另一方面則采用BiCS(Bit Cost Scalable)技術(shù)試量產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器，該技術(shù)標(biāo)榜具備高性能、低成本且架構(gòu)可擴(kuò)充性的優(yōu)勢(shì)，已于先前由東芝率先發(fā)表，而SanDisk已規(guī)劃采用該項(xiàng)技術(shù)，生產(chǎn)3D NAND閃存產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)于2016年投產(chǎn)首款3D NAND存儲(chǔ)器。
針對(duì)SanDisk是否會(huì)選用3D NAND記憶體技術(shù)發(fā)展10奈米以下的制程，吳家榮說(shuō)明，該公司目前無(wú)法對(duì)外說(shuō)明3D NAND存儲(chǔ)器技術(shù)的制程規(guī)劃藍(lán)圖，但可預(yù)見的是，相較于過去每一代NAND Flash制程節(jié)點(diǎn)差距動(dòng)輒10奈米以上，進(jìn)入19奈米以后，制程微縮的節(jié)點(diǎn)間隔將明顯縮小。
顯而易見，2D NAND存儲(chǔ)器技術(shù)即將面臨發(fā)展瓶頸，而3D NAND存儲(chǔ)器將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑，也因此，除東芝和SanDisk之外，三星(Samsung)、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND存儲(chǔ)器技術(shù)布局。其中，三星預(yù)定于2014年量產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。
