東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，該公司已經(jīng)開發(fā)出第二代19納米工藝技術(shù)，該技術(shù)將于本月晚些時候用于量產(chǎn)每單元2比特的64吉比特NAND存儲芯片。
東芝已經(jīng)使用該新一代技術(shù)開發(fā)出全球最小的每單元2比特的64吉比特NAND存儲芯片，芯片面積只有94平方毫米。新一代芯片采用了獨特的高速寫入方法，寫入速度可高達25兆字節(jié)/秒—是全球速度最快的每單元2比特芯片。
東芝還在利用該工藝技術(shù)開發(fā)每單元3比特芯片，并計劃在本財年第二季度投入量產(chǎn)。該公司最初將通過開發(fā)一種與eMMC兼容的控制器，為智能手機和平板電腦推出3比特的多級單元產(chǎn)品，隨后會通過開發(fā)與固態(tài)硬盤(SSD)兼容的控制器，將產(chǎn)品的應(yīng)用范圍擴大到筆記本電腦領(lǐng)域。
NAND閃存是存儲卡、智能手機、平板電腦和筆記本電腦等多元化消費品系列的基本構(gòu)成元素，并越來越多地被部署到企業(yè)產(chǎn)品中，包括數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤。展望未來，東芝將繼續(xù)推進產(chǎn)品創(chuàng)新與開發(fā)，成為市場中一家能夠應(yīng)對各種客戶需求的領(lǐng)先公司。
