引言
變頻器屬大功率電力電子設(shè)備，內(nèi)部需配備大量功率半導(dǎo)體器件，工作過程中會產(chǎn)生大量熱量。而功率半導(dǎo)體器件屬溫度敏感器件，因結(jié)溫過高導(dǎo)致功率半導(dǎo)體器件燒毀是變頻器故障中最常見的原因之一。為保證變頻器設(shè)備的穩(wěn)定可靠運行，散熱系統(tǒng)的設(shè)計是關(guān)鍵的一環(huán)。實際經(jīng)驗表明，散熱系統(tǒng)設(shè)計的好壞，直接影響到變頻器能否長時間安全穩(wěn)定的工作。
一、變頻器散熱系統(tǒng)設(shè)計
變頻器散熱系統(tǒng)的設(shè)計包括以下三個方面：
1、依據(jù)負載計算功率器件的損耗【1】;
2、功率器件及散熱器的熱阻計算及建模仿真，求取散熱器與功率器件各點的溫度【1】;
3、根據(jù)各點的溫升以及實際環(huán)境條件，調(diào)整風扇選型、散熱器以及風道設(shè)計，確定最終的散熱系統(tǒng)方案【1】。
(一)損耗的計算
以IGBT模塊為例，損耗分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。其中開關(guān)損耗又分為IGBT芯片的開關(guān)損耗和DIODE芯片的反向恢復(fù)損耗，其計算公式如下：
由上式可知：開關(guān)損耗與開關(guān)頻率成正比，與輸出電流成正比，與直流電壓成正比。
導(dǎo)通損耗也分為IGBT芯片的導(dǎo)通損耗和DIODE芯片的導(dǎo)通損耗，計算一般分為：
通過簡化可以得到以下公式：
上述參數(shù)也可以通過線性擬合來獲知，從而得到實際電流時的導(dǎo)通損耗。
在實際損耗計算中，還要考慮結(jié)溫影響、過載損耗、不同工況條件下?lián)p耗等因素。
(二)熱阻的計算及建模仿真
熱阻表示熱量在熱流路徑上遇到的阻力大小，反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W。(一般表達熱阻時，需說明從某處到某處的熱阻，可以分別表示)
對于IGBT的熱阻，可以通過器件手冊中的數(shù)據(jù)獲悉其結(jié)殼的熱阻Rjc。散熱器的熱阻以強制空氣冷卻用散熱器為例，熱阻經(jīng)驗公式為：
式中，k為散熱器熱導(dǎo)率，單位W/(cm·℃);d為散熱器基板厚度，單位cm;A為散熱器有效散熱面積，單位cm2;C1為散熱器表面狀況和安裝狀態(tài)相關(guān)系數(shù)，散熱器水平安裝與垂直安裝的散熱效果不同;C2為強迫風冷條件下散熱器相對熱阻系數(shù);C3為空氣換熱系數(shù)。
在設(shè)計工作中，還應(yīng)考慮導(dǎo)熱硅脂的熱阻和不同風扇的風量等因素，并通過實際測試結(jié)果與計算值對照進行建模仿真，求取功率器件和散熱器各關(guān)鍵點的溫升。
