iST宜特獨家研發(fā)出MEMS G-Sensor失效分析標(biāo)準(zhǔn)流程

2013-10-15 11:16 來源:電源網(wǎng) 作者:蒲公英

在先端科技的蓬勃發(fā)展下,MEMS組件已成為智能產(chǎn)品的主要核心。為降低企業(yè)投入MEMS開發(fā)時,因故有分析技術(shù)難以找出MEMS真正失效原因,iST集團-臺灣宜特今(10/15)宣布,成功建構(gòu)出MEMS G-Sensor的標(biāo)準(zhǔn)失效分析流程。此流程亦被許多公司實際采用,目前全臺開發(fā)MEMS G-sensor的公司中,約達九成在iST宜特幫助下解決失效問題。

iST獨家研發(fā)的MEMS G-Sensor失效分析標(biāo)準(zhǔn)流程,更正式通過全球最具代表性,電子組件檢測失效分析技術(shù)研討會-ISTFA的認可,成為全臺第一家且是唯一一家擁有MEMS研究團隊的實驗室。

iST觀察發(fā)現(xiàn),許多公司欲了解MEMS組件的失效狀況時,由于對其結(jié)構(gòu)的認知度、掌握度不夠,因此以傳統(tǒng)方式做開蓋(De-cap)觀察,容易造成組件污染。

此外,iST進一步指出,因組件為懸浮結(jié)構(gòu),以外力移除時易產(chǎn)生毀損。雙方影響下,容易造成組件污染和應(yīng)力破壞,不但沒有找出真因,反而制造更多失效盲點。

為克服此問題,iST今年已成功開發(fā)出MEMS無污染的De-cap技術(shù),結(jié)合無應(yīng)力的組件移除技術(shù),以非破壞方式保留結(jié)構(gòu)原貌,避開機械應(yīng)力和污染產(chǎn)生的非真因失效。目前已幫助三十多家MEMS設(shè)計、制造與封裝企業(yè),對癥下藥地找出失效點并成功改善,搶攻市場先機。

1_副本

失效G-Sensor組件觀察影像                            正常G-Sensor組件觀察影像

圖說:在iST宜特MEMS標(biāo)準(zhǔn)失效分析流程下,可精準(zhǔn)看出失效G-Sensor組件的真正失效點。

iST集團營運長 林正德指出,2007年預(yù)見此市場需求后即投入研發(fā),全面布局MEMS等新興產(chǎn)品失效分析技術(shù)。這幾年在大量實務(wù)經(jīng)驗深耕下,更于今年建立出MEMS標(biāo)準(zhǔn)失效分析流程。

此技術(shù),iST集團臺灣總部技術(shù)經(jīng)理 黃君安將于11月6日在美國加州圣荷西的國際失效分析暨測試研討會(ISTFA)上發(fā)表。歡迎業(yè)界先進舊雨新知前來交流。

ISTFA會議報名網(wǎng)址:http://www.asminternational.org/content/Events/istfa/index.jsp

MEMS 失效分析 G-Sensor

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