瑞薩對戰(zhàn)Spansion 汽車MCU戰(zhàn)火已燃

2014-03-18 21:53 來源:電子信息網(wǎng) 作者:鈴鐺

在汽車用MCU領(lǐng)域,有兩項技術(shù)至關(guān)重要。瑞薩電子掌握的快閃記憶技術(shù)和Spansion的嵌入電荷擷取技術(shù),這兩家公司在技術(shù)上似乎沒有交集,但實際上戰(zhàn)火早已蔓延開來。

目前的汽車制造業(yè)當中每一個地方都有MCU的身影,MCU常被用于監(jiān)視、處置、控制諸如駕駛、轉(zhuǎn)向、煞車等關(guān)鍵位置,肩負著安全的保證和保證性能的責任。對汽車電子控制單元應用的MCU來說,由于必需儲存大量的控制演算法與應用程式碼,所以具備大容量的快閃記憶體很重要,更重要的是晶片上快閃記憶體的速度問題,假如太慢,MCU的高速邏輯電路就無法充分發(fā)揮性能。

那些打算進入MCU市場、卻缺乏自主技術(shù)的供應商,通常會面臨幾個問題:1、該用哪一種快速存取快閃記憶體技術(shù)?2、誰有那種技術(shù)?3、哪里有晶圓代工廠?然后他們可能會有另一個問題:如何把這些事情完成,又不卷進Spansion與瑞薩可能發(fā)作的IP大戰(zhàn)?──這兩家公司的嵌入式快閃記憶體IP大戰(zhàn)還沒真的開打,只是煙硝味很濃。

1、相似的技術(shù)

相關(guān)分析人士指出,Spansion與瑞薩的技術(shù)高度相似,但該機構(gòu)所獲得的資訊仍不夠?qū)@兩家的技術(shù)進行詳盡的分析,但可以肯定的是,兩者的類似之處在于,都對應用在嵌入式MCU上的NOR快閃記憶體技術(shù)做了一些相似的改善。

兩家公司的產(chǎn)品的新設(shè)計都采用了多層構(gòu)造以減少電流走漏,特別是當記憶體單元處于關(guān)閉狀態(tài)時,閘極中的電荷為0V時。不過它們的閘極交織構(gòu)造仍有一些不同之處,瑞薩包含了能在故障發(fā)生時時減少錯誤的別離式閘極(split gate)設(shè)計。

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