軟開關的實質是什么？所謂軟開關，就是利用電感電流不能突變這個特性，用電感來限制開關管開通過程的電流上升速率，實現(xiàn)零電流開通。利用電容電壓不能突變的特性，用電容來限制開關管關斷過程的電壓上升速率，實現(xiàn)零電壓關斷。并且利用LC諧振回路的電流與電壓存在相位差的特性，用電感電流給MOS結電容放電，從而實現(xiàn)零電壓開通。或是在管子關斷之前，電流就已經(jīng)過零，從而實現(xiàn)零電流關斷。
軟開關的拓撲結構非常多，每種基本的拓撲結構上都可以演變出多種的軟開關拓撲。我們在這里，僅對比較常用的，適用于APFC電路的BOOST結構的軟開關作一個簡單介紹并作仿真。
我們先看看基本的BOOST電路存在的問題，下圖是最典型的BOOST電路：
假設電感電流處于連續(xù)模式，驅動信號占空比為D。那么根據(jù)穩(wěn)態(tài)時，磁芯的正向勵磁伏秒積和反向勵磁伏秒積相同這個關系，可以得到下式：
VIN×D=(VOUT-VIN)(1-D)，那么可以知道：VOUT=VIN/(1-D)。
那么對于BOOST電路來說，最大的特點就是輸出電壓比輸入電壓高，這也就是這個拓撲叫做BOOST電路的原因。另外，BOOST電路也有另外一個名稱：up converter，此乃題外話，暫且按下不表。
對于傳統(tǒng)的BOOST電路，這個電路存在的問題在哪里呢？我們知道，電力電子的功率器件，并不是理想的器件。在基本的BOOST電路中：
1、當MOS管開通時，由于MOS管存在結電容，那么開通的時候，結電容COSS儲存的能量幾乎完全以熱的方式消耗在MOS的導通過程。其損耗功率為COSSV2fS/2，fS是開關頻率。V為結電容上的電壓，在此處V=VOUT。(注意：結電容與靜電容有些不一樣，是和MOS上承受的電壓相關的。)
2、當MOS管開通時，升壓二極管在由正向導通向反偏截止的過程中，存在一個反向恢復過程，在這個過程中，會有很大的電流尖峰流過二極管與MOS管，從而導致功率損耗。
3、當MOS關斷時，雖然有結電容作為緩沖，但因為結電容太小，關斷的過程電壓與電流有較多的重疊，也產(chǎn)生一定的關斷損耗。
